9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100H18FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100H18FG参考价格为344.94500美元。微芯片技术APTM100H18FG封装/规格：MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6。您可以下载APTM100H18FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM100DU18TG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及2 N通道（双）FET类型，该设备也可以用作780W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件以10400pF@25V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为43A，最大Id Vgs的Rds为210 mOhm@21.5A，10V，Vgs th最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为372nC@10V。
APTM100DUM90G带有用户指南，包括5V@10mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于105 mOhm@39A，10V，提供功率最大功能，如1250W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供20700pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有744nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1000V（1kV），25°C电流连续漏极Id为78A。
APTM100DSK35T3G，带电路图，包括22A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1000V（1kV）漏极到源极电压Vdss，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供FET类型功能，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于186nC@10V，以及5200pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备以SP3封装盒提供，该设备具有大量封装，最大功率为390W，Rds On Max Id Vgs为420 mOhm@11A，10V，供应商设备封装为SP3，Vgs th Max Id为5V@2.5mA。
