9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD110800SCL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD110800SCL参考价格为4.38080美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD110800SCL封装/规格：MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC。您可以下载ALD110800SCL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD110800APCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.036156盎司，具有通孔、，封装外壳设计用于16-DIP（0.300“，7.62mm）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）此外，安装类型为通孔，该器件提供4通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的16-PDIP，配置为Quad，FET类型为4 N通道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4 N-通道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，输入电容Cis-Vds为2.5pF@5V，FET特性为标准，Rds On最大Id Vgs为500 Ohm@4V，Vgs th最大Id为10mV@1μA，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，Vgs栅极-源极电压为10.6 V，Id连续漏极电流为12 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10 V，Rds导通漏极-源极电阻为500欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10ds，正向跨导最小值为0.0014 S，沟道模式为耗尽。
ALD110800ASCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC，包括10mV@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与16-SOIC供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，零阈值？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如500 Ohm@4V，Power Max设计为工作在500mW，以及Tube Packaging，该器件也可以用作16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD110800PCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于标准FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于4 N通道匹配对，提供输入电容Cis-Vds功能，如2.5pF@5V，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该设备也可作为16-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用。此外，该封装为管式，该设备的最大功率为500mW，该设备具有500欧姆@4V的Rds On Max Id Vgs，系列为EPADR，Zero Threshold？，供应商设备封装为16-PDIP，Vgs th Max Id为20mV@1μa。
