9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM120H29FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM120H29FG参考价格为348.77250美元。Microchip Technology APTM120H29FG封装/规格：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6。您可以下载APTM120H29FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTM120DU15G是MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6，包括散装封装，它们设计为与SP6封装盒一起工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP6中工作，以及2 N通道（双）FET类型，该设备也可以用作1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1200V（1.2kV），该器件提供20600pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为60A，最大Id Vgs的Rds为175 mOhm@30A，10V，Vgs的最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg-Vgs为748nC@10V。
APTM120H140FT1G是MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为与SP1供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于1.68 Ohm@7A，10V，提供208W等功率最大功能，包装设计为批量工作，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供3812pF@25V输入电容Ciss Vds，该设备具有145nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为4 N沟道（H桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为1200V（1.2kV），电流连续漏极Id 25°C为8A。
APTM120DU29TG，带电路图，包括34A电流连续漏极Id 25°C，设计用于1200V（1.2kV）漏极至源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于374nC@10V，以及10300pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大容量封装，最大功率为780W，最大Id Vgs的Rds为348 mOhm@17A，10V，供应商设备封装为SP4，最大Id为5V@5mA。
