9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTM100TA35SCTPG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTM100TA35SCTPG参考价格为381.24000美元。微芯片技术APTM100TA35SCTPG封装/规格：MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P。您可以下载APTM100TA35SCTPG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTM100A12STG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP3封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供机箱安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及2 N通道（半桥）FET类型，该设备还可用于1250W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为1000V（1kV），该器件以17400pF@25V输入电容Ciss Vds提供，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为68A，最大Id Vgs的Rds为120mOhm@34A，10V，Vgs的最大Id为5V@10mA，栅极电荷Qg Vgs为616nC@10V。
APTM08TAM04PG带有用户指南，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP6-P供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于4.5 mOhm@60A，10V，提供功率最大功能，如138W，包装设计用于散装，以及SP6包装箱，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供4530pF@25V输入电容Cis Vds，该器件具有153nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为6 N沟道（三相桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为75V，25°C电流连续漏极Id为120A。
APTM08TDUM04PG，带电路图，包括120A电流连续漏极Id 25°C，设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N通道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于153nC@10V，除了4530pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP6封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为138W，最大Id Vgs的Rds为4.5 mOhm@60A，10V，供应商设备封装为SP6-P，Vgs th Max Id为4V@1mA。
