9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APTC60TAM21SCTPAG,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。APTC60TAM21SCTPAG参考价格为487.41000美元。微芯片技术APTC60TAM21SCTPAG封装/规格:MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P。您可以下载APTC60TAM21SCTPAG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTC60TAM24TPG,带引脚细节,包括CoolMOS?系列,它们设计用于托盘包装,包装箱如数据表注释所示,用于SP6,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),安装类型设计用于底盘安装,以及SP6-P供应商设备包,该设备也可以用作6 N通道(3相桥)FET类型。此外,最大功率为462W,该器件提供600V漏极到源极电压Vdss,该器件具有14400pF@25V输入电容Cis-Vds,FET特性为超级结,25°C的电流连续漏极Id为95A,最大Id Vgs上的Rds为24mOhm@47.5A,10V,Vgs最大Id为3.9V@5mA,栅极电荷Qg-Vgs为300nC@10V。
APTC60TAM21SCTPAG带用户指南,包括3.6V@6mA Vgs th Max Id,设计用于与SP6-P供应商设备包一起运行,数据表注释中显示了用于CoolMOS?的系列?,提供Rds On Max Id Vgs功能,例如21 mOhm@88A,10V,Power Max设计为在625W下工作,以及散装封装,该设备也可以用作模块封装盒,其工作温度范围为-40°C ~ 150°C(TJ),该设备提供底盘安装型,该设备具有13000pF@100V的输入电容Ciss Vds,栅极电荷Qg Vgs为580nC@10V,FET类型为6 N沟道(3相桥),FET特性为标准,漏极至源极电压Vdss为600V,25°C的电流连续漏极Id为116A。
APTC60SKM24T1G是Microsemi制造的分立半导体模块功率模块Coolmos。是桥式整流器的一部分,并支持分立半导体模块电源模块Coolmos,N通道600V 95A(Tc)462W(Tc)底盘安装SP1。