9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5922DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5922DU-T1-GE3参考价格0.19388美元。Vishay Siliconix SI5922DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK。您可以下载SI5922DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI5922DU-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5915DC-T1-e3是MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于8-SMD扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作2 P通道（双）FET类型。此外，功率最大值为1.1W，该器件提供8V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.4A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@3.4A，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为9nC@4.5V。
SI5915DC-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8，包括450mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如70 mOhm@3.4A，4.5V，功率最大值设计为1.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有9nC@4.5V的栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为8V，25°C的电流连续漏极Id为3.4A。
SI5920DC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8，包括4A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与8V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在12nC@5V下工作，除了680pF@4V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有Digi-ReelR封装，最大功率为3.12W，最大Id Vgs上的Rds为32 mOhm@6.8A，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为1206-8 ChipFET？，Vgsth最大Id为1V@250μA。
