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APTM50AM70FT1G带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP1封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP1，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该设备也可用于390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供10800pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为50A，最大Id Vgs的Rds为84mOhm@42A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为340nC@10V。
APTM50AM38STG是MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4，包括5V@5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP4供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于45 mOhm@45A，10V，提供功率最大功能，如694W，包装设计用于批量工作，以及SP4包装箱，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供11200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有246nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，25°C电流连续漏极Id为90A。
APTM50DAM17G是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM50DAM17G以模块封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道500V 180A（Tc）1250W（Tc）底盘安装SP6。
