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APTM20TDUM16PG带有引脚细节，包括散装封装，它们设计用于SP6封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP6-P以及6 N通道（3相桥）FET类型，该设备也可用于390W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为200V，该器件提供7220pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时电流连续漏极Id为104A，最大Id Vgs的Rds为19mOhm@52A，10V，Vgs最大Id为5V@2.5mA，栅极电荷Qg-Vgs为140nC@10V。
APTM50A15FT1G带用户指南，包括5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP1供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于180 mOhm@21A，10V，提供最大功率功能，如208W，包装设计用于批量工作，以及SP1包外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该器件提供5448pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有170nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为25A。
APTM20UM03FAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道200V 580A（Tc）2270W（Tc）底盘安装SP6。
APTM20UM04SAG是由Microsemi制造的分立半导体模块功率模块-Mosfet。APTM20UM04SAG以SP6封装形式提供，是桥式整流器的一部分，并支持分立半导体模块功率模块-Mosfet，N通道200V 417A（Tc）1560W（Tc）底盘安装SP6。
