9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD212900SAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD212900SAL参考价格5.44500美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD212900SAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC。您可以下载ALD212900SAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD212900ASAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOIC，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道）匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为10.6V，输入电容Cis-Vds为30pF@5V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为80mA，最大Id Vgs上的Rds为14欧姆，Vgs最大Id为10mV@20μA，Pd功耗为500mW，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，Id连续漏极电流为79 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10 V，Vgs栅极-源极阈值电压为0 V，Rds导通-漏极-漏极电阻为14欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10 ns，典型开启延迟时间为10ns，信道模式为耗尽。
ALD212900APAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP，包括10mV@20μA Vgs th Max Id，它们设计为在0 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于10 V，提供单位重量功能，如0.032805 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件包的8-PDIP，系列为EPADR，零阈值？，Rds On Max Id Vgs为14欧姆，Rds On漏极-源极电阻为14欧姆；功率Max为500mW，Pd功耗为500mW，包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），工作温度范围为0°C~70°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，输入电容Ciss Vds为30pF@5V，Id连续漏电流为79 mA，FET类型为2 N通道（双）匹配对，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为80mA，配置为双通道，通道模式为耗尽模式。
ALD212900PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP，包括耗尽通道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于80mA，提供漏极到源极电压Vdss功能，如10.6V，FET功能设计用于逻辑电平门，以及2 N通道（双）匹配对FET类型，该器件也可以用作79mA Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为30pF@5V，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，通道数为2通道，其工作温度范围是0°C ~ 70°C（TJ），包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），包装为管，Pd功耗为500 mW，功率最大值为500mW，漏极-源极电阻Rds为14欧姆，最大Id Vgs Rds为4欧姆，系列为EPADR，零阈值？，供应商器件封装为8-PDIP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为10ds，单位重量为0.032805oz，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs栅极-源极阈值电压为0V，Vgsth最大Id为20mV@20μA。
