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APTM50AM38SCTG带有引脚细节，包括散装封装，设计用于SP4封装外壳，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），提供底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SP3，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该设备也可以用作694W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为500V，该器件提供11200pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的碳化硅（SiC），25°C的电流连续漏极Id为90A，最大Id Vgs的Rds为45mOhm@45A，10V，Vgs的最大Id为5V@5mA，栅极电荷Qg Vgs为246nC@10V。
APTM50AM70FT1G带用户指南，包括5V@2.5mA Vgs th Max Id，它们设计用于SP1供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于84 mOhm@42A，10V，提供功率最大功能，如390W，包装设计用于批量工作，以及SP1包外壳，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为底盘安装，该设备提供10800pF@25V输入电容Cis-Vds，该设备具有340nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为500V，电流连续漏极Id 25°C为50A。
APTM50AM38STG是MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4，包括90A电流连续漏极Id 25°C，设计用于500V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于246nC@10V，除了11200pF@25V输入电容Cis Vds，该设备还可以用作底盘安装型，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ），该设备采用SP4封装盒，该设备具有大量封装，最大功率为694W，Rds On Max Id Vgs为45 mOhm@45A，10V，供应商设备封装为SP4，Vgs th Max Id为5V@5mA。
