该器件是使用STripFET F3技术开发的N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
特色
- 设计用于自动驾驶应用,AEC-Q101合格
- 逻辑级VGS(th)
- 175°C最高接合温度
- 100%雪崩
- 可湿侧包装
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 21.58384 | 21.58384 |
10+ | 19.38924 | 193.89243 |
100+ | 15.58672 | 1558.67210 |
500+ | 12.80631 | 6403.15800 |
1000+ | 11.64209 | 11642.09300 |
3000+ | 11.64202 | 34926.06000 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
该器件是使用STripFET F3技术开发的N沟道功率MOSFET。它被设计为最小化导通电阻和栅极电荷,以提供优异的开关性能。
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...