9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7220DN-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7220DN-T1-E3参考价格$2.62000。Vishay Siliconix SI7220DN-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8。您可以下载SI7220DN-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI7220DN-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI7218DN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7218DN-E3中使用的零件别名，该SI7218DN E3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR 1212-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR 1212-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为23W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为700pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为24A，最大Id Vgs上的Rds为25 mOhm@8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，Pd功耗为2.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
SI7218DN-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为10 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件采用PowerPAKR 1212-8双供应商器件封装，该器件具有串联的TrenchFETR，上升时间为12ns，Rds On Max Id Vgs为25mOhm@8A、10V，Rds On Drain Source电阻为25mOhms，功率最大值为23W，Pd功耗为2.6W，部件别名为SI7218DN-GE3，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为PowerPAKR 1212-8 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为700pF@15V，Id连续漏极电流为8 A，栅极电荷Qg Vgs为17nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为24A，配置为双，沟道模式为增强。
SI7220DN，带有SI制造的电路图。SI7220D可采用QFN1212-8封装，是IC芯片的一部分。
