起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 13.61665 | 13.61665 |
| 25+ | 11.31341 | 282.83525 |
| 100+ | 10.27767 | 1027.76750 |
| 3300+ | 10.27774 | 33916.56840 |
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TC6320TG-G由8引线SOIC和DFN封装中的高电压、低阈值N沟道和P沟道MOSFET组成。这两个MOSFET都集成了栅到源电阻器和栅到源齐纳二极管钳位器，这是高压脉冲发生器应用所需的。它是一种互补的、高速、高压、GATE钳位N沟道和P沟道MOSFET对，利用了先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TC6FD00-04 | 迪芬尼 (Peerless) | 额定功率: 15瓦 阻抗值: 4.09欧姆 频率: 175.19赫兹 | ¥64.31695 |
 | TC6FC00-04 | 迪芬尼 (Peerless) | 额定功率: 15瓦 阻抗值: 3.89欧姆 频率: 186.8赫兹 | ¥92.4194 |
 | TC6FD02-04 | 迪芬尼 (Peerless) | 额定功率: 15瓦 阻抗值: 4.17欧姆 频率: 171.16赫兹 | ¥71.41499 |
 | TC60 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 5 F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥10.0966 |
 | TC61 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 8 F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥146.03135 |
 | TC62 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 10F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥6.57655 |
 | TC63 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 12F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥5.72189 |
 | TC64 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 16F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥3.50556 |
 | TC65 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 20F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥8.69148 |
 | TC67 | 康奈尔·杜比利尔 (Cornell Dubilier) | 电容: 40F 公差: -10%，+50% 额定电压: 350伏 包装/外壳: 轴向，罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥38.37288 |
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
