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PMDPB56XN，115是MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于与6-UDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2）以及2 N通道（双）FET类型，该器件还可以用作510mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供170pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为3.1A，最大Id Vgs的Rds为73 mOhm@3.1A、4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@4.5V。
PMDPB56XNEAX以及用户指南，请联系技术支持团队获取更多PMDPB56XEAX信息。
带有NXP制造的电路图的PMDPB58UPE。PMDPB58UPE在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
