9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1958DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1958DH-T1-E3参考价格为0.96美元。Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1958DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1926DL-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI1926DL E3中使用的零件别名，该SI1926DL-E3提供单位重量功能，例如0.000988盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为510mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为18.5pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为370mA，Rds最大Id Vgs为1.4 Ohm@340mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.4nC@10V，Pd功耗为510 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为370 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为6.5ns，信道模式为增强。
SI1926DL-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.000988 oz，晶体管类型设计为在2 N沟道工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SC-70-3（SOT323），该设备为TrenchFETR系列，该设备具有1.4欧姆@340mA，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为1.4欧姆，最大功率为510mW，Pd功耗为510 mW，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为18.5pF@30V，Id连续漏电流为370 mA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为370mA，配置为双。
Si1926DL是Vishay Siliconix制造的MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363。Si1926DL采用SOT363封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363。
