9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1970DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1970DH-T1-E3参考价格为0.562美元。Vishay Siliconix SI1970DH-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1970DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1967DH-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI1967DH-E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.25W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为110pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，最大Id Vgs的Rds为490 mOhm@910mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4nC@8V，Pd功耗为1.25 W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为27纳秒，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为490毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SI1967DH-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于8 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.000988 oz，晶体管类型设计用于2个P沟道，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SC-70-6（SOT-363），该设备为TrenchFETR系列，该设备在910mA时具有490 mOhm，Rds On Max Id Vgs为4.5V，Rds On Drain Source电阻为490 mOhms，Qg栅极电荷为2.6nC，最大功率为1.25W，Pd功耗为1.25 W，零件别名为SI1903DL-T1-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为110pF@10V，Id连续漏极电流为1.3 A，栅极电荷Qg Vgs为4nC@8V，正向跨导最小值为2 S，FET类型为2 P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.3A，配置为双通道。
SI1969DH-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1969DH-E3采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
