9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1023X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1023X-T1-GE3参考价格为0.46000美元。Vishay Siliconix SI1023X-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6。您可以下载SI1023X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si1023X-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1023X-GE3的零件别名，该Si1023X/GE3提供单位重量功能，例如0.000289盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-89-6，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为250mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为370mA，最大Id Vgs的Rds为1.2 Ohm@350mA，4.5V，Vgs最大Id为450mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为1.5nC@4.5V，Pd功耗为280mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为370mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为2.7欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强。
SI1023X-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F，包括450mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如1.2 Ohm@350mA，4.5V，Power Max设计为250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1.5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为370mA。
SI1023X-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1023X-T1采用SOT-463封装，是FET阵列的一部分。
SI1023X-T1-E3/GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI1023X-T1-E3/GE3采用SOT563封装，是IC芯片的一部分。
