9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1988DH-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1988DH-T1-E3参考价格为1.018美元。Vishay Siliconix SI1988DH-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6。您可以下载SI1988DH-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI1988DH-T1-E3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI1972DH-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR封装，数据表说明中显示了用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，最大功率为1.25W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有75pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.3A，最大Id Vgs上的Rds为225 mOhm@1.3A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为2.8nC@10V。
SI1983DT-285-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI1983DT-285-T1-E3采用SOT-23-5封装，是IC芯片的一部分。
Si1988DH是Vishay Siliconix制造的MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6。Si1988DH采用SC-70-6封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6。
