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BUK9K5R1-30EX，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SOT-1205，8-LFPAK56包装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作LFPAK56D供应商设备包。此外，FET类型为2 N沟道（双），该器件提供68W功率最大，该器件具有1 N沟道晶体管类型，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为3065pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为40A，最大Id Vgs为5.3 mOhm@10A，5V，Vgs最大Id为2.1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为26.7nC@5V，晶体管极性为N沟道。
BUK9K5R6-30EX带有用户指南，包括2.1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于LFPAK56D，以及5.8mOhm@10A，5V Rds on Max Id Vgs，该器件也可作为64W最大功率使用。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为2480pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为22.6nC@5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为40A。
BUK9K52-60E，115，带电路图，包括16A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于60V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于10nC@10V，以及725pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用SOT-1205，8-LFPAK56封装盒，该设备具有Digi-ReelR替代封装，最大功率为32W，Rds On Max Id Vgs为49mOhm@5A，10V，系列为汽车，AEC-Q101，TrenchMOS？，供应商设备包为LFPAK56D，Vgs th Max Id为2.1V@1mA。
