9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1035X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1035X-T1-GE3参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SI1035X-T1-GE3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SC-89。您可以下载SI1035X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si1035X-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC-89，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si1035X-GE3的部件别名，该Si1035X-GE3提供单位重量功能，例如0.001129盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作SOT-563，SOT-666包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，信道数为2信道，供应商设备包为SC-89-6，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，功率最大值为250mW，晶体管类型为1 N通道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为180mA、145mA，最大Id Vgs的Rds为5 Ohm@200mA、4.5V，Vgs最大Id为400mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为0.75nC@4.5V，Pd功耗为250 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为5 V，Id连续漏极电流为180 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，沟道模式为增强型。
SI1035X-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V SOT563F，包括400mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如5 Ohm@200mA，4.5V，功率最大设计为250mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有0.75nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为180mA，145毫安。
SI1035DL-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI1035DL-T1-E3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI1035X-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6引脚SOT-563F T/R。SI1035X-T1采用SOT-666封装，是FET阵列的一部分，支持Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.145A 6引脚SOT-563F T/R。
