9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3585DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3585DV-T1-E3参考价格为1.612美元。Vishay Siliconix SI3585DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP。您可以下载SI3585DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si3585CDV-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si3585CDV-GE3的零件别名，该Si3585CDV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为1.4W、1.3W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为150pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.9A、2.1A，最大Id Vgs的Rds为58mOhm@2.5A、4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为4.8nC@10V，Pd功耗为1.4 W 1.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns 7 ns，上升时间为20 ns 10 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.9 A-2.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为1.5 V-1.5 V，Rds的漏极-源极电阻为58 mOhms 195 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为11 ns 13 ns，典型接通延迟时间为5 ns 3 ns，Qg栅极电荷为3.2 nC 6 nC，正向跨导最小值为12 S 1 S。
SI3585DV，配有Vishay制造的用户指南。SI3585DV在SOT23-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3585DV-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI3585DV-T1在SOT23-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
