9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMDPB56XNEAX，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMDPB56XEAX参考价格为0.49000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMDPB56XNEAX封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 3.1A DFN2020D-6。您可以下载PMDPB56XEAX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMDPB55XP，115是MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON，包括Digi-ReelR交替封装，它们设计用于6-UDFN暴露焊盘封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于6-HUSON（2x2），除了2 P通道（双）FET类型外，该器件还可以用作490mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供785pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.4A，最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@3.4A、4.5V，Vgs th最大Id为900mV@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@5V。
PMDPB56XN，115是MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-HUSON（2x2）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于73 mOhm@3.1A，4.5V，提供功率最大特性，如510mW，封装设计用于Digi-ReelR，以及6-UDFN裸露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供170pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有2.9nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3.1A。
PMDPB56XN，带有NXP制造的电路图。PMDPB56XN在DFN2020-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
