9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3586DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3586DV-T1-E3参考价格0.6468美元。Vishay Siliconix SI3586DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP。您可以下载SI3586DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si3585DV-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，该器件也可以用作N和P沟道FET型。此外，最大功率为830mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2A，1.5A，最大Id Vgs的Rds为125 mOhm@2.4A，4.5V，Vgs最大Id为600mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@4.5V。
SI3585DV-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP，包括600mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如125 mOhm@2.4A、4.5V，Power Max设计为830mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有3.2nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2A，1.5A。
SI3586DV，带有VISHAY制造的电路图。SI3586DV在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
