9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1553DL-T1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1553DL-T1价格参考2.758美元。Vishay Siliconix SI1553DL-T1封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SC70-6。您可以下载SI1553DL-T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI1553CDL-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI1553DL-T1-GE3 SI1555DL-T1-E3-S SI1563DH-T1-GE3 SI1563EDH-T1-GE4的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000988 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及6-TSSOP、SC-88，SOT-363封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为340mW，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为38pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为700mA、500mA，最大Id Vgs的Rds为390mOhm@700mA、4.5V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为1.8nC@10V，Pd功耗为340 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为13 ns 8 ns，上升时间为22 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为700 mA-500 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.5 V-1.5 V，Rds漏极-源极电阻为390 mOhms 850 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为22 ns 12 ns，典型接通延迟时间为16 ns 15 ns，Qg栅极电荷为0.55 nC 0.95 nC，正向跨导最小值为1.5 S 0.8 S，沟道模式为增强型。
SI1553DL，带有VISHAY制造的用户指南。SI1553DL采用SOT-363封装，是FET阵列的一部分。
SI1553DL-F1，带有ADI制造的电路图。SI1553DL-F1在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
