9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3588DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3588DV-T1-E3参考价格为1.056美元。Vishay Siliconix SI3588DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP。您可以下载SI3588DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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Si3588DV-T1-E3是MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表注释中显示了用于Si3588DV-E3的部件别名，该Si3588DV E3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，TSOT-23-6包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为1 N通道1 P通道，FET类型为N和P通道，功率最大值为830mW、83mW，晶体管类型为1 N信道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.5A，570mA，最大Id Vgs的Rds为80mOhm@3A，4.5V，Vgs的最大Id为450mV@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为7.5nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为30 ns 29 ns，上升时间为30纳秒29 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为80 mOhms 145 mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为28ns 24ns，典型接通延迟时间为12ns 12ns，信道模式为增强。
SI3586DV-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如60 mOhm@3.4A，4.5V，功率最大设计为830mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为2.9A、2.1A。
SI3588DV，电路图由126K制造。SI3588DV在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3588DV-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6引脚TSOP T/R。SI3588DV-T1采用TSOP-6封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N/P-CH 20V 2.5A/0.57A 6引脚TSOP T/R。
