9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD114935PAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD114935PAL参考价格为5.76680美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD114935PAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP。您可以下载ALD114935PAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD114904SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及8-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作2 N通道（双）匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为耗尽模式，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA，Rds On最大Id Vgs为500 Ohm@3.6V，Vgs th最大Id为360mV@1μa。
ALD114913SAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括1.26V@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供最大Id Vgs上的Rds功能，如500 Ohm@2.7V，功率最大设计为500mW，以及管封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为2 N通道（双）匹配对，FET特性为耗尽模式，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为12mA，3mA。
ALD114913PAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括12mA、3mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于10.6V漏极到源极电压Vdss，数据表说明中显示了用于耗尽模式的FET特性，提供FET类型特性，如2 N通道（双）匹配对，输入电容Cis-Vds设计用于2.5pF@5V，以及通孔安装型，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，包装盒为8-DIP（0.300“，7.62mm），设备采用管式包装，设备最大功率为500mW，Rds On Max Id Vgs为500 Ohm@2.7V，系列为EPADR，供应商设备包装为8-PDIP，Vgs th Max Id为1.26V@1μa。
