TC1550TG-G由8引脚SOIC封装中的高压N沟道和P沟道MOSFET组成。这是一种增强型(常关)晶体管,采用了先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点,该器件没有热失控和热引起的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于各种开关和放大应用,其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 500V击穿电压
- 独立的N和P通道
- 电隔离N-和P-通道
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 无二次故障
- 低输入和输出泄漏