9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3948DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3948DV-T1-E3参考价格为0.926美元。Vishay Siliconix SI3948DV-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP。您可以下载SI3948DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3932DV-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3932DV-GE3中使用的零件别名，该SI3932DV GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为235pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，最大Id Vgs的Rds为58mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为47mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为3.7nC，正向跨导最小值为10S。
SI3932DV-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI3932DV-T1-E3采用TSOP-6封装，是IC芯片的一部分。
SI3948DV，带有FAIRCHILD制造的电路图。SI3948DV在SSOT-26封装中提供，是FET阵列的一部分。
