9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3981DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3981DV-T1-E3参考价格为36.256美元。Vishay Siliconix SI3981DV-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP。您可以下载SI3981DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3973DV-T1-E3是MOSFET 12V 2.7A 0.83W，包括卷轴封装，它们设计用于SI3973DV T1零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，该配置是双重的，该器件提供2 P沟道晶体管类型，该器件具有830 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为60纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.4 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通漏极-漏极电阻为87mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为30ns，沟道模式为增强型。
SI3973DV-T1-GE3是MOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm@4.5V，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如2 P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作87毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为830 mW，该器件以SI3973DV-GE3零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TSOP-6，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为2.4 a，并且配置是双重的。
Si3981DV，电路图由Vishay制造。Si3981DV在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
