9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3983DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3983DV-T1-E3参考价格为1.1美元。Vishay Siliconix SI3983DV-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP。您可以下载SI3983DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3981DV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，数据表说明中显示了用于SOT-23-6薄型TSOT-23-6的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSOP供应商设备封装，该器件也可以用作2P沟道（双）FET型。此外，最大功率为800mW，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有FET功能的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.6A，最大Id Vgs的Rds为185 mOhm@1.9A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为5nC@4.5V。
SI3981DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP，包括1.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与6-TSOP供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如185 mOhm@1.9A，4.5V，Power Max设计为800mW，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有5nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为1.6A。
Si3981DV，电路图由Vishay制造。Si3981DV在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
