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ALD114835SCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及16-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作4N通道、匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为耗尽模式，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA，Rds On Max Id Vgs为540 Ohm@0V，Vgs th Max Id为3.45V@1μa。
ALD114904APAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括380mV@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-PDIP供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，该EPADR提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@3.6V，功率最大设计为500mW，以及管封装，该器件也可作为8-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为2 N通道（双）匹配对，FET特性为耗尽模式，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为12mA，3mA。
ALD114835PCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP，包括12mA、3mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于10.6V漏极到源极电压Vdss，数据表说明中显示了用于耗尽模式的FET特性，提供FET类型特性，如4 N通道、匹配对、输入电容Cis-Vds，设计用于2.5pF@5V，以及通孔安装型，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，包装盒为16-DIP（0.300“，7.62mm），设备采用管式包装，设备的最大功率为500mW，Rds On Max Id Vgs为540 Ohm@0V，系列为EPADR，供应商设备包装为16-PDIP，Vgs th Max Id为3.45V@1μa。
