9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3993DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3993DV-T1-E3参考价格$28.328。Vishay Siliconix SI3993DV-T1-E3封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP。您可以下载SI3993DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3993CDV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为210pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs的Rds为111mOhm@2.5A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8nC@10V，Pd功耗为1.15 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅-源极阈值电压为-3 V，Rds漏极源极电阻为133 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为3.1nC，正向跨导Min为4s，信道模式为增强。
SI3993，带有VISHAY制造的用户指南。SI3993在SOT163封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI3993DV，带有VISHAY制造的电路图。SI3993DV在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
