9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD212900ASAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD212900ASAL参考价格5.97580美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD212900ASAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC。您可以下载ALD212900ASAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD210814SCL，带引脚详细信息，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.023492盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于EPAD，以及16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，安装类型为表面安装，该器件提供4信道数，该器件具有供应商器件封装的16-SOIC，配置为Quad，FET类型为4N信道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4N-信道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为80mA，Vgs th最大Id为20mV@10μA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，Vgs栅极-源极电压为10.6 V，Id连续漏极电流为70 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为1.4V，Rds导通漏极-源极电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强。
ALD210814PCL带有用户指南，包括20mV@10μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压如数据表注释所示，用于10.6 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如10 V，单位重量设计用于0.036156 oz，以及10 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作10ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为4 N沟道，器件提供N沟道晶体管极性，器件具有商品名EPAD，技术为Si，供应商器件包为16-PDIP，系列为EPADR，零阈值？，Rds漏极-源极电阻为25欧姆，Pd功耗为500mW，包装箱为16-DIP（0.300“，7.62mm），通道数量为4通道，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，Id连续漏电流为70 mA，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为10.6V，电流连续漏极Id 25°C为80mA，配置为Quad，通道模式为Enhancement。
ALD212900APAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP，包括耗尽沟道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于80mA，提供漏极到源极电压Vdss功能，如10.6V，FET功能设计用于逻辑电平门，以及2 N沟道（双）匹配对FET类型，该器件也可以用作79mA Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为30pF@5V，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，通道数为2通道，其工作温度范围是0°C ~ 70°C（TJ），包装箱为8-DIP（0.300“，7.62mm），包装为管，Pd功耗为500 mW，功率最大值为500mW，漏极-源极电阻Rds为14欧姆，最大Id Vgs Rds为4欧姆，系列为EPADR，零阈值？，供应商器件封装为8-PDIP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型导通延迟时间为10ds，单位重量为0.032805oz，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs栅极-源极阈值电压为0V，Vgsth最大Id为10mV@20μA。
