9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1900DL-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1900DL-T1-GE3参考价格为0.64000美元。Vishay Siliconix SI1900DL-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6。您可以下载SI1900DL-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1900DL-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。SI1900DL-E3中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000265盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该装置也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为SC-70-6（SOT-363），配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为270mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为590mA，最大Id Vgs的Rds为480mOhm@590mA，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@10V，Pd功耗为270mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8纳秒，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为590 mA，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为480毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8毫秒，典型开启延迟时间为5ns，信道模式为增强。
SI1900DL，带有VISHAY制造的用户指南。SI1900DL在SOT363封装中提供，是FET阵列的一部分。
SI1900DL-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI1900DL-T1在SOP23封装中提供，是FET阵列的一部分。
