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SSM6N7002BFE,LM

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.53501 2.53501
10+ 2.05698 20.56984
100+ 1.09005 109.00560
500+ 0.71704 358.52350
1000+ 0.48759 487.59200
2000+ 0.43978 879.57800
4000+ 0.43978 1759.15600
8000+ 0.38242 3059.40000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.53502
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安
  • 最大功率 150mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 供应商设备包装 ES6
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.1欧姆@500毫安,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.1V@250A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25V时为17皮法

SSM6N7002BFE,LM 产品详情

  • 应用范围:高速开关/模拟开关
  • 极性:N-ch×2
  • 世代:U-MOSⅣ
  • 内部连接:独立
  • 组件产品(Q1):SSM3K7002BF
  • 组件产品(Q2):SSM3K7002BF
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:3.1 V
  • 装配底座:3.3Ω
  • 装配底座:2.6Ω
  • 装配底座:2.1Ω
  • 装配底座:17 pF

应用

高速开关/模拟开关
SSM6N7002BFE,LM所属分类:场效应晶体管阵列,SSM6N7002BFE,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6N7002BFE,LM价格参考¥2.535015,你可以下载 SSM6N7002BFE,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6N7002BFE,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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