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SSM6N15AFE,LM

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: ES6(1.6x1.6) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4000

数量 单价 合计
4000+ 0.52583 2103.34000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥0.52584
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,103.34
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 最大功率 150mW
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 SOT-563、SOT-66
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13.5皮法@3V
  • 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 10毫安, 4V
  • 供应商设备包装 ES6(1.6x1.6)

SSM6N15AFE,LM 产品详情

  • 应用范围:负载开关
  • 极性:N-ch×2
  • 世代:U-MOSⅢ
  • 内部连接:独立
  • 组件产品(Q1):SSM3K15AMFV
  • 组件产品(Q2):SSM3K15AMFV
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本/泰国

特色

  • 装配底座:1.5 V
  • 装配底座:6.0Ω
  • 装配底座:3.6Ω
  • 装配底座:13.5 pF

应用

负载开关
SSM6N15AFE,LM所属分类:场效应晶体管阵列,SSM6N15AFE,LM 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6N15AFE,LM价格参考¥0.525835,你可以下载 SSM6N15AFE,LM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6N15AFE,LM规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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