9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5513CDC-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5513CDC-T1-E3参考价格为0.65000美元。Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8。您可以下载SI5513CDC-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI5511DC-T1-E3是MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR封装一起工作，数据表说明中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及1206-8 ChipFET？供应商设备包，该设备也可以用作N和P沟道FET类型。此外，最大功率为3.1W、2.6W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有435pF@15V输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为4A、3.6A，Rds On Max Id Vgs为55mOhm@4.8A、4.5V，Vgs th Max Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为7.1nC@5V。
SI5511DC-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1206-8 ChipFET？供应商设备包系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，例如55 mOhm@4.8A，4.5V，Power Max设计用于3.1W，2.6W，以及Digi-ReelR封装，该设备也可以用作8-SMD，扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有435pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为7.1nC@5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为4A，3.6A。
SI5513CDC，带有VISHAY制造的电路图。SI5513CDC在SOT23-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
