9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4565ADY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4565ADY-T1-E3参考价格$3.46。Vishay Siliconix SI4565ADY-T1-E3封装/规格：MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC。您可以下载SI4565ADY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4564DY-T1-GE3是MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4542DY-T1-E3-S的零件别名，该SI4542DY T1-E3-E提供单位重量功能，例如0.017870盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为3.1W、3.2W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为855pF@20V，FET的特点是逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为10A，9.2A，最大Id Vgs的Rds为17.5 mOhm@8A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为31nC@10V，Pd功耗为3.1 W 3.2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为13ns 15ns，上升时间为15ns 40ns，Vgs栅极-源极电压为16V 20V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V-2.5V，Rds漏极源极电阻为14.5mOhms 17.5mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为23ns 40ns，典型接通延迟时间为11ns 42ns，Qg栅极电荷为20.5nC 41.5nC，正向跨导Min为25S 27S。
Si4565ADY-T1-E3是MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8-SOIC，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商器件包一起工作，系列如数据表说明所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如39 mOhm@5A，10V，功率最大设计为3.1W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有625pF@20V的输入电容Cis Vds，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，FET类型为N和P沟道，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为6.6A，5.6A。
SI4565带有SI制造的电路图。SI4565在SOP包中提供，是FET阵列的一部分。
SI4565ADY，带有vishay制造的EDA/CAD模型。SI4565ADY在sop8封装中提供，是FET阵列的一部分。
