9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2200UDW-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2200UDW-13参考价格为0.45000美元。Diodes Incorporated DMP2200UDW-13封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363。您可以下载DMP2200UDW-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP21D5UFB4-7B是MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN，包括DMP21系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如3-XFDFN，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在3-DFN1006（1.0x0.6）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道、金属氧化物，最大功率为460mW，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为46.1pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为700mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为970 mOhm@100mA，5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为500nC@4.5V，Pd功耗为460 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19.2 ns，上升时间为4.3 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为-700mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第th栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20.2ns，典型接通延迟时间为4.3ns，Qg栅极电荷为0.5nC，正向跨导Min为0.7S，信道模式为增强。
DMP21D5UFD-7是MOSFET P-CH 20V DFN1212-3，包括-1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于8.5 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如20.2 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为DMP21，器件的上升时间为4.3 ns，器件的漏极-源极电阻为3欧姆，Qg栅极电荷为0.5 nC，Pd功耗为400 mW，封装为卷轴式，封装外壳为X1-DFN1212-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-600 mA，下降时间为19.2 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP2200UDW-13带有电路图，包括900mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在2.1nC@4.5V下工作，以及184pF@10V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备具有6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装盒，封装为磁带和卷轴（TR）交替封装，最大功率为450mW，最大Id Vgs的Rds为260mOhm@880mA，4.5V，系列为DMP2200，供应商设备封装为SOT-363，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为2P沟道，Vgs th最大Id为1.2V@250μA。
