9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI1034X-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI1034X-T1-GE3参考价格为0.48000美元。Vishay Siliconix SI1034X-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6。您可以下载SI1034X-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI1034CX-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V SC89-6，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供SOT-563、SOT-666等封装外壳功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SC-89-6供应商设备包中提供，该设备具有2 N信道（双）FET型，最大功率为220mW，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为43pF@10V，FET特性为逻辑电平门，Rds On Max Id Vgs为396mOhm@500mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2nC@8V，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的SI1034-B-GM3R，包括1.8 V~3.8 V电源，设计用于TxRx+MCU类型，数据表说明中显示了用于I2C、SPI、UART的串行接口，提供-121dBm等灵敏度特性，RF系列标准设计用于通用ISM以及EZRadioPro协议，该设备也可以用作13dBm（最大）功率输出。此外，该包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备采用85-VFLGA外露衬垫包装盒，其工作温度范围为-40°C~85°C，调制方式为FSK、GFSK、OOK，内存大小为128kB闪存，8.5kB RAM，GPIO为53，频率为240MHz~960MHz，数据速率最大值为256kbps，电流传输为17mA~30mA，电流接收为18.5mA。
SI1034X-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F，包括180mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表说明中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在0.75nC@4.5V下工作，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，器件采用Digi-ReelR封装，器件最大功率为250mW，Rds On Max Id Vgs为5 Ohm@200mA，4.5V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为SC-89-6，Vgs th Max Id为1.2V@250μa。
