9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS932EDN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS932EDN-T1-GE3参考价格为0.68000美元。Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8。您可以下载SIS932EDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIS892DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名显示在SIS892DN-GE3中使用的数据表注释中，该SIS892DN/GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为611pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为30A（Tc），最大Id Vgs的Rds为29 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21.5nC@10V，Pd功耗为52 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极源极电压为20 V，并且Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为29mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为14.2nC，正向跨导Min为22S。
SIS894DN-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SIS894DN-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIS900 A2 CN，带有SIS制造的电路图。SIS900 A2 CN采用QFP-128封装，是IC芯片的一部分。
