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NX7002AKAR带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SOT-23-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1.33 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为300 mA，并且Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为0.33nC，正向跨导最小值为230mS，沟道模式为增强。
NX7002AKS，115带用户指南，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于4.5 Ohm@100mA，10V，提供220mW等功率最大功能，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供17pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有0.43nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为170mA。
NX7002AK2R带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
NX7002AKVL是MOSFET，其中包括Si技术，它们设计用于卷盘封装。
