9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1102BSAL,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1102BSAL价格参考6.40420美元。先进线性器件股份有限公司ALD1102BSAL封装/规格:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC。您可以下载ALD1102BSAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD1102AAL是MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC,它们设计用于8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装外壳,其工作温度范围为0°C~70°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能。供应商器件封装设计用于8-SOIC以及2 P通道(双)匹配对FET类型,该器件也可用于500mW最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为10.6V,该器件采用标准FET特性,该器件具有270 Ohm@5V的Rds On Max Id Vgs,Vgs th Max Id为1.2V@10μa。
ALD1102BPAL是MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP,包括1.2V@10μA Vgs th Max Id,它们设计为与8-PDIP供应商设备包一起工作,最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示,用于270 Ohm@5V,提供功率最大特性,如500mW,封装设计为在管中工作,以及8-DIP(0.300“,7.62mm)封装盒,其工作温度范围为0°C~70°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该器件提供10pF@5V输入电容Cis-Vds,该器件具有2个P通道(双)匹配对FET类型,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD1102PAL是MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP,包括10.6V漏极到源极电压Vdss,它们设计为使用标准FET功能,FET类型如数据表注释所示,用于2 P通道(双)匹配对,提供安装类型功能,如通孔,其工作温度范围为0°C~70°C(TJ),除了8-DIP(0.300英寸,7.62毫米)封装盒外,该器件还可以用作管封装。此外,最大功率为500mW,器件在最大Id Vgs上提供270 Ohm@5V Rds,器件具有供应商器件封装的8-PDIP,Vgs最大Id为1.2V@10μa。