9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1101BSAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD11101BSAL价格参考6.40420美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD1101BSAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC。您可以下载ALD1101BSAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ALD1101BSAL价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ALD1101APAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，它们设计用于8-DIP（0.300“，7.62mm）封装外壳，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），具有通孔等安装型功能，供应商设备封装设计用于8-PDIP以及2 N通道（双）匹配对FET类型，该设备也可用于500mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为10.6V，该器件提供10pF@5V输入电容Cis Vds，该器件具有FET特性标准，最大Id Vgs上的Rds为75 Ohm@5V，Vgs最大Id为1V@10μa。
ALD101ASAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC，包括1V@10μA Vgs和最大Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于75 Ohm@5V，提供功率最大特性，如500mW，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2 N沟道（双）匹配对FET类型，器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V。
ALD1101BPAL是MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP，包括10.6V漏极到源极电压Vdss，它们设计为使用标准FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 N通道（双）匹配对，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），除了8-DIP（0.300英寸，7.62毫米）封装盒外，该器件还可以用作管封装。此外，最大功率为500mW，器件在最大Id Vgs上提供75 Ohm@5V Rds，器件具有供应商器件封装的8-PDIP，Vgs的最大Id为1V@10μa。
