9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7900AEDN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7900AEDN-T1-GE3参考价格为1.23000美元。Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8。您可以下载SI7900AEDN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7900AEDN-T1-E3是MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7900AEDTN-T1的零件别名，该SI7900AED N-T1提供了SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET/PPowerPAK以及PowerPAKR 1212-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双）公共漏极，最大功率为1.5W，晶体管类型为2 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs的Rds为26 mOhm@8.5A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为16nC@4.5V，Pd功耗为1.5 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为1300纳秒，上升时间为1300 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通漏极-漏极电阻为26毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8600纳秒，典型开启延迟时间为850ns，信道模式为增强。
SI7900AEDN和SI制造的用户指南。SI7900AED N以QFN1212-8封装形式提供，是FET阵列的一部分。
SI7900AEDN-T1是VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。SI7900AEDN-T1采用QFN8封装，是FET阵列的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 20V 6A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
