9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD212914SAL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD212914SAL参考价格6.44920美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD212914SAL封装/规格：MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC。您可以下载ALD212914SAL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD210808SCL，带引脚详细信息，包括EPADR、零阈值？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.023492盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于EPAD，除了16-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有4个通道数，供应商器件封装为16-SOIC，配置为Quad，FET类型为4N通道，匹配对，最大功率为500mW，晶体管类型为4N-通道，漏极到源极电压Vdss为10.6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为80mA，Vgs最大Id为20mV@10μA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，Vgs栅极-源极电压为10.6 V，Id连续漏极电流为70 mA，Vds漏极-源极击穿电压为10 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为0.8V，Rds漏极-源极电阻为25欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为10ds，沟道模式为增强。
ALD210814SCL带用户指南，包括20mV@10μA Vgs th Max Id，它们设计为在1.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表注释中显示了用于10.6 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如10 V，单位重量设计为在0.023492 oz下工作，以及10 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作10ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为4 N沟道，器件提供N沟道晶体管极性，器件具有商品名EPAD，技术为Si，供应商器件封装为16-SOIC，系列为EPADR，零阈值？，漏极源极电阻Rds为25欧姆，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为0 C，最大工作温度范围+70 C，Id连续漏极电流为70 mA，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为10.6V，25°C的电流连续漏电流Id为80mA，配置为Quad，通道模式为Enhancement。
ALD210814PCL带有电路图，其中包括增强通道模式，它们设计用于四通道配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于80mA，提供漏极到源极电压Vdss功能，如10.6V，FET功能设计用于逻辑电平门，以及4 N通道匹配对FET类型，该设备也可以用作70 mA Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，该设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，通道数为4通道，包装箱为16-DIP（0.300“，7.62mm），包装为管，Pd功耗为500 mW，漏极电阻为25欧姆，系列为EPADR，零阈值？，供应商器件封装为16-PDIP，技术为Si，商品名为EPAD，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为4 N沟道、典型关断延迟时间为10ns，典型开启延迟时间为10ds，单位重量为0.036156oz，Vds漏极-源极击穿电压为10V，Vgs栅极-源极电压为10.6V，Vgsth栅源阈值电压为1.4V，Vgsth最大Id为20mV@10μA。
