9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4906DY-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4906DY-T1-E3参考价格为0.596美元。Vishay Siliconix SI4906DY-T1-E3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC。您可以下载SI4906DY-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4904DY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI4904DY-GE3中使用的零件别名，该SI4904DY-GE3提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ，最大功率为3.25W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2390pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为85nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为10 ns 19 ns，上升时间为20 ns 117 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为16 mOhms，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为56ns 62ns，并且典型接通延迟时间为15ns 88ns，并且沟道模式为增强。
SI4904-GL，带有SILICON制造的用户指南。SI4904-GL采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
SI4905-GL，电路图由SILICON制造。SI4905-GL采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
