9icnet为您提供由Advanced Linear Devices Inc.股份有限公司设计和生产的ALD1108EPCL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。ALD1108EPCL参考价格为0.728美元。Advanced Linear Devices股份有限公司ALD1108EPCL封装/规格：MOSFET 4N-CH 10V 16DIP。您可以下载ALD1108EPCL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ALD110808SCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC，包括EPADR系列，数据表注释中显示了用于16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及16-SOIC供应商器件封装，该器件也可以用作4N通道、匹配对FET类型。此外，最大功率为500mW，该器件提供10.6V漏极到源极电压Vdss，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA，Rds On Max Id Vgs为500 Ohm@4.8V，Vgs th Max Id为820mV@1μa。
ALD110814SCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC，包括1.42V@1μA Vgs th Max Id，它们设计为与16-SOIC供应商器件包一起工作，系列如数据表注释所示，用于EPADR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如500 Ohm@5.4V，Power Max设计为500mW，以及管封装，该器件还可以用作16-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为0°C～70°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2.5pF@5V的输入电容Cis-Vds，FET类型为4 N通道，匹配对，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为10.6V，25°C的电流连续漏极Id为12mA，3mA。
ALD110814PCL是MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP，包括12mA、3mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于10.6V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如4 N通道、匹配对、输入电容Cis-Vds，设计用于2.5pF@5V，以及通孔安装型，其工作温度范围为0°C~70°C（TJ）。此外，包装盒为16-DIP（0.300“，7.62mm），设备采用管式包装，设备最大功率为500mW，Rds On Max Id Vgs为500 Ohm@5.4V，系列为EPADR，供应商设备包装为16-PDIP，Vgs th Max Id为1.42V@1μa。
