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FDS9945

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 最大功率 1W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13nC @ 5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@3.5A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 420皮法 @ 30V

FDS9945 产品详情

这些N沟道逻辑电平MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。该MOSFET具有比具有类似RDS(on)规格的其他MOSFET更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是MOSFET易于驱动且更安全(即使在非常高的频率下),DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

特色

  • 3.5安培,60伏
  • RDS(开)=0.100Ω@VGS=10 V
  • RDS(开)=0.200Ω@VGS=4.5 V
  • 优化用于具有PWM控制器的开关DC/DC转换器
  • 非常快的切换
  • 低栅极电荷

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
  • DC/DC转换器
FDS9945所属分类:场效应晶体管阵列,FDS9945 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDS9945价格参考¥1.521009,你可以下载 FDS9945中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDS9945规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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