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NX3020NAK，215，带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于与to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于SOT-23（to-236AB）以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作300mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供13pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为200mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为4.5 Ohm@100mA，10V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.44nC@4.5V。
NX3020NAKS，115，带有用户指南，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于6-TSSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于4.5 Ohm@100mA，10V，提供功率最大功能，如375mW，封装设计用于Digi-ReelR备用封装，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供13pF@10V输入电容Ciss Vds，该器件具有0.44nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为180mA。
NX3020NAKV，115是MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666，包括200mA电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于0.44nC@4.5V，除了13pF@10V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有Digi-ReelR交替封装，最大功率为375mW，最大Id Vgs为4.5 Ohm@100mA，10V，供应商设备包为SOT-666，Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
